近几年来，本实验室连续开展了大规模集成电路的新品检测工作，如侦察运算电路、BCH编译码器、CRT地址产生电路及接口电路等，基本上都是规模较大的CMOS电路，对静电敏感，工作速度较快。在高、低温电性能测试中成功地采用了该集成电路高、低温电性能测试系统，积累了一些有益的经验。通过实际应用发现，必须注意以下一些具体的环节，如测试板的隔离、防潮，被测器件的静电保护，被测器件芯片温度的确定等问题，才能快速、准确地完成CMOS VLSI的高、低温电性能测试。

    在用该高、低温测试系统做温度测试时，系统有温度传感器叮测到器件底部的温度，虽然气流是重直于DUT表面而下，但DUT的底部还是属于器件表面，如何确定DUT芯片温度的建立时间，是个比较复杂的问题。因为DUT芯片温度的建立时间受很多因系的影响，如DUT的材料、形状尺寸，温度以及气体流量的大小等因素的影响。不同的器件芯片温度的建立时间是不一样的，温度建立时间是指系统变温( 升温获降温)开始，到建立新的热平衡，即被测器件芯片温度达到设定值这一段时间。某公司给出了1000Ω电阻温度探测器(RTD)的温度建立时间曲线，如图3所示。图3表明不同的RTD其温度建立时间是不同的。

    DUT芯片温度的建立时间对于高、低温测试是非常重要的指标，只有在大于建立时间的时间段内测试，测试的数据才能真正地反映设定温度点的性能及具有重复性。对于复杂的大规模集成电路，我们采取在开始高、低温测试前，通过反复试验，确定被测器件芯片温度的建立时间。在热流系统显示达到设定温度开始，对被测器件进行多次电参数测试，当其电参数趋于稳定并具有可重复性时，将这段时间确定为DUT芯片温度的建立时间。经过反复试验发现，系统的温度传感器测得的被测器件底部温度与芯片温度基本一致。