1、范围
1.1 本工艺适应于防爆电器产品中本安用锗、 硅半导体二极管、三极管、集成电路、电容器、电阻器元件的老化筛选。
1.2 本工艺适用于进厂检验合格的元件进行老化筛选。
2、引用标准
2.1  GB4032半导体分立器件
2.2  GB4936. 1半导体分立器件总规范

2 3  GB4938半导体分立器件接收和可靠性

3、设备、仪器、工具
高低温试验箱、直流稳压电源、万用表、示波器
4、高温储存
4.1目的：使具有潜在缺陷的器件（如污染、引线不良、氧化缺陷等）提前失效，加以清除。
4.2储存温度
a)锗二、三极管： 85±2℃
b)硅二、三极管： 85±3℃
c)集成电路：  85±2℃
4.3储存时间  24h
4.4试验方法
4.4.1初试
4.4.1.1标准测试条件
a)环境温度： 25±5℃
b)相对湿度： 45%~75%
c)大气压力： 86~ 106kpa
d)4.4.1.2技术要求
按器件电参数规范测试
a）二极管
VBR：击穿电压。
IK：  反向电流。
b） 三极管
ICBO：集电极-基极反向击穿电流。
v（ER）CEO：集电极一发射极反向击穿电压。
VCE （sat）： 集电极一反向饱和压降。
IC-VCE：共射极输出特性曲线。
HFE：共射极静态电流放大系数。
C）稳压二极管
UZ：稳定电压
IZ：稳定电流
d）电阻器：选择筛选的电阻器测量阻值的误差范围不得超过±5%。
e）集成电路：选择能预示器件早期失效的参数，作为筛选参数。
注：集成电路种类、规格繁多，差异较大，根据实际应用情况选测主要参数。
f）电容器：电解电容量允许误差为±20%，无极电容电容量允许误差为±5%。
4. 4.2试验步骤
4. 4.2.1将初测合格的器件装入专用金属盒，放入高低温试验箱，把温度调到规定值.
4. 4.4.2温度达到规定值时开始计算时间，48h后取出器件，并在室温下恢复应不少于1h.
4.4.2.3重复
4.4..1条的测试步骤.
5、常温静态功率老化
5.1目的
在较长时间内对器件连续施加一定的电压力，通过电一热应力的综合作用，来加速器件内部的物理化学反映的过程。促使器件内部各种潜在的缺陷及早暴露，以剔除早期失效的器件.
5.2试验要求
5.2.1二极管
5.2.1.1检波、开关、整流二极管的正向电功率的老化，应取额定正向电流的1.5倍，老化时间为48h。
5.2.1.2稳压二极管的反向电功率老化，应以其额定功率的2倍进行，老化时间为48h
6、注意事项
6.1常温静态功率老化过程中，应随时监测电压、电流数值，以保证老化条件的稳定
6.2在初测及复测时，要防止因失效的半导体器件引起仪表过载。
6.3试验时，如果热源温度失控，就可能破坏或损伤器件，因此，热源应装备重复的过热控制来限制温度。
7、验收规则
7.1由质量部接到检验通知单后进行。首先检查元件是否为本公司的合格供方，出厂产品是否有合格证明等。
7.2电解电容的出厂期不得超过一年。
7.3 所有元件抽样检查，抽样率5%，初测时被抽取的样品总数经检测合格率低于98%的，则判定该批总体不合格。否则判定该批总体为合格品。经电热老化后的样品总数检验合格率低于98%的，则判定该批总体不合格，否则判定该批总体为合格品。
7.4对检测不合格的电子元件，开出检验不合格单，及时反馈有关部门。
7. 5检验记录应认真填写。