thb试验是考核塑封器件耐湿性常用的加速试验方法，一般在高温高湿试验箱中进行。通过提高环境温度及相对湿度，使试验环境的水汽分压增加，加大了试验环境与塑封半导体器件样品内部的水蒸气压力差，进而加剧水汽扩散和吸收：同时施加偏置电压为加速金属侵蚀提供了必要的电解电池。加速金属侵蚀的原因还有:塑封器件所用不同材料的热失配使封装体内产生缝隙加速水汽的侵入；封装材料中的杂质污染等。

HAST是专为塑封固态器件而设计的，因为事实证明，高压蒸煮和thb试验对于某些健壮的塑封微电路已经不能产生失效。 这一试验用高温(通常为130℃)、高相对湿度(约85%)、高大气压力的条件（达3atm）来加速潮气通过外部保护材料或芯片引线周围的密封封装。