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芯片HAST测试技术规范

适用范围:  

该试验检查芯片长期贮存条件下,高温和时间对器件的影响。本规范适用于量产芯片验证测试阶段的HAST测试需求,仅针对非密封封装(塑料封装),带偏置(bHAST)和不带偏置(uHAST)的测试。

简介:

该试验通过温度、湿度、大气压力加速条件,评估非密封封装器件在上电状态下,在高温、高压、潮湿环境中的可靠性。它采用了严格的温度,湿度,大气压、电压条件,该条件会加速水分渗透到材料内部与金属导体之间的电化学反应。

引用文件:

下列文件中的条款通过本规范的引用而成为本规范的条款。凡是注日期的引用文件,其随后所有的修改单(不包括勘误的内容)或修订版均不适用于本规范,然而,鼓励根据本规范达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件,其最新版本适用于本规范。

参考标准

1.  HAST测试流程

HAST测试流程
2.  HAST测试条件
2.1 温度、湿度、气压、测试时间  HAST试验条件如下表所示:
温度、湿度、气压、测试时间
➢ 通常选择HAST高压加速老化试验箱RK-HAST-350,即:130℃、85%RH、230KPa大气压,96hour测试时间。
➢ 测试过程中,建议调试阶段监控芯片壳温、功耗数据推算芯片结温,要保证结温不能过 高,并在测试过程中定期记录。结温推算方法参考《HTOL测试技术规范》。
➢ 如果壳温与环温差值或者功耗满足下表三种关系时,特别是当壳温与环温差值超过 10℃时,需考虑周期性的电压拉偏策略。
壳温与环温差值或者功耗
➢ 注意测试起始时间是从环境条件达到规定条件后开始计算;结束时间为开始降温降压操 作的时间点。
2.2 电压拉偏
uHAST测试不带电压拉偏,不需要关注该节;
bHAST需要带电压拉偏,遵循以下原则:
(1) 所有电源上电,电压:最大推荐操作范围电压(Maximum Recommended Operating Conditions)
(2) 芯片功耗最小(数字部分不翻转、输入晶振短接、其他降功耗方法);
(3) 输入管脚在输入电压允许范围内拉高。
(4) 其他管脚,如时钟端、复位端、输出管脚在输出范围内随机拉高或者拉低;
2.3 样本量
样本量
3.  HAST设备
➢ 高温、高压、湿度控制试验箱(HAST高压加速老化试验箱)——温度、湿度、气压强度范围可控,测试时间可控。
4.  失效判据
➢ ATE\功能筛片有功能失效、性能异常。
5.  HAST测试注意事项
➢ 测试过程要求每天记录电源电压、电流、环境温度、壳温(推算结温)等关键数据。
➢ 注意芯片内部模拟电路是否有上电默认开启的模块,这样的模块会导致静态电流太大,引起其他机制的失效。
➢ 调试过程注意,考虑到较大的电流引起压降,电压等的记录应该是到板电压,而不是电源源端电压。
➢ 调试过程注意,室温条件下的电源电压与规定要求下的电源电压不同,可以在室温下初调,待试验环境到达HAST设定条件后做最终调试。

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