THB试验是考核塑封器件耐湿性常用的加速试验方法，一般在高温高湿试验箱中进行。通过提高环境温度及相对湿度，使试验环境的水汽分压增加，加大了试验环境与塑封半导体器件样品内部的水蒸气压力差，进而加剧水汽扩散和吸收：同时施加偏置电压为加速金属侵蚀提供了必要的电解电池。加速金属侵蚀的原因还有:塑封器件所用不同材料的热失配使封装体内产生缝隙加速水汽的侵入；封装材料中的杂质污染等。

无偏hast方法是为了评估非密封封装固态器件在潮湿环境中的可靠性的试验方法。这是一种高度加速试验，在非冷凝条件下利用温度和湿度加速水汽通过外部保护材料（封装材料或密封件）或沿着外部保护材料和金属导体之间的界面渗透。本试验中不采用偏压，以确保可能被偏压掩盖的失效机制可以被揭示（如电偶腐蚀)。此测试用于识别封装内部的故障机制，具有破坏性。

a)采用0水透的背板（含铝背板，双玻）可以有效的防止高湿环境下组件的失效；b)采用较低水透的背板，搭配低VA含量的EVA，可以延缓组件在高湿环境下的衰减；c)需要开发新型背板，能透水同时也能使得醋酸及时释放，同样可以有效的防止高湿环境下组件的失效。d)双85测试可以有效的评估组件能否在高湿环境下运行25年。

耐潮性试验是把器件置于高温、高湿的环境中受试，使潮气侵人封装体，以产生如分层和开裂那样的缺陷。这种试验可识别器件对潮气引起的应力的敏感度，以便使器件能适当地封装、贮存和搬运，以避免机械损伤。高压锅、85C/85%RH和HAST试验就是耐潮湿试验。高加速应力与温度(HAST)试验正在快速地取代85/85试验。DHAST试验按JESD22-A110问进行，条件通常为130C，85%RH,250h。

IGBT模块属于多层封装结构，各层封装材料的热膨胀系数不同。温度的波动会引起热膨胀系数不同的各层材料之间的热失配，从而产生热应力，其中热应力集中的部位包括：键合线，芯片焊层，底板焊层，见如图1所示的红色部位。热应力不断的循环累积，首先会使键合线和焊接层产生裂纹，终引发键合线脱落或焊层大面积分层导致模块失效。