THB 试验是考核塑封器件耐湿性常用的加速试验方法，一般在高温高湿试验箱中进行。通过提高环境温度及相对湿度，使试验环境的水汽分压增加，加大了试验环境与塑封半导体器件样品内部的水蒸气压力差，进而加剧水汽扩散和吸收：同时施加偏置电压为加速金属侵蚀提供了必要的电解电池。加速金属侵蚀的原因还有:塑封器件所用不同材料的热失配使封装体内产生缝隙加速水汽的侵入；封装材料中的杂质污染等。
为得到较好的加速性，THB试验对不同功率的塑封半导体器件施加不同电压偏置:小功率塑封半导体器件，施加稳态电压偏置;人功率塑封半导体器件，施加间歇电压偏置。因为大功率器件在“有偏置(bias-on)”时，芯片发热对芯片周围的模塑化合物有烘干作用，若持续施加稳态电压偏置，则模塑化合物中不会存在水汽。因此，人功率器什在间歇偏置电压下“无偏置（bias-off)”时模塑化合物吸收水汽;“有编置(bias-on)”时，封装体内水汽在也偏置作:用下产生离子迁移激发火效。表1是JEDEC标准JESD22-A101-B（稳态THB寿命试!验〉中施加电压偏置的原则。
JESD22-A101-B标准中指出，大多数大功率塑封半导体器件试验样品以1小时加偏置，1小时不加偏置即能得到较好加速性。
