功率半导体器件稳态湿热高压偏置试验方法，用以评价非气密封装的功率半导体器件在高温高湿环境下耐受高电压的可靠性。不但适用于硅功率器件，也适用于碳化硅及氮化家功率器件。

THB试验是考核塑封器件耐湿性常用的加速试验方法，一般在高温高湿试验箱中进行。通过提高环境温度及相对湿度，使试验环境的水汽分压增加，加大了试验环境与塑封半导体器件样品内部的水蒸气压力差，进而加剧水汽扩散和吸收：同时施加偏置电压为加速金属侵蚀提供了必要的电解电池。加速金属侵蚀的原因还有:塑封器件所用不同材料的热失配使封装体内产生缝隙加速水汽的侵入；封装材料中的杂质污染等。

芯片是电子信息产品重要的元器件，是高端制造业的是核心基石！几乎每种电子设备，电脑、手机、家电、汽车、高铁、电网、医疗仪器、机器人、工业控制等都使用芯片。瑞凯HAST试验箱主要应用于芯片、半导体器件、金属材料领域，通过爆米花效应、动金属化区域腐蚀造成之断路、封装体引脚间因污染造成之短路等相关问题。

瑞凯仪器掌握HAST试验箱、高低温试验箱、冷热冲击试验箱的核心技术，将继续紧跟市场发展步伐，加强对自动化、智能化装备的研发，着力提升核心竞争力，助推企业做大做强。

瑞凯仪器HAST设备用于评估非气密性封装IC器件、金属材料等在湿度环境下的可靠性。通过温度、湿度、大气压力条件下应用于加速湿气的渗透，可通过外部保护材料（塑封料或封口），或在外部保护材料与金属传导材料之间界面。它采用了严格的温度，湿度，大气压、电压条件，该条件会加速水分渗透到材料内部与金属导体之间的电化学反应。失效机制：电离腐蚀，封装密封性。