例1:待测器件经过1，000小时温度循环试验后测试结果显示电性为开路状态。通过不良品分析实验，剥离器件外部塑封胶后发现晶片与框架焊接过程中所使用银浆在与晶片背面的焊接区域出现断裂状态(图1)。通常半导体器件焊接所使用的银浆的成分为锡/银/铜，晶片的基材为硅。焊接过程中焊接温度的设定，银浆量的控制，晶片的柔片次数，塑封胶注人的压力等都会对产品的终可靠性造成影响。当器件处于极端温度变差及输入偏压开关模式下，器件在薄弱的不同介质结合面会出现开路状况，从而造成器件整体功能或电路模块的失效。如果各种材料在高低温下通过各自的膨胀系数所产生的应力没有通过结合面之间的绶冲结构得到释放，这种影响可能会通过银浆的结合面将应力传导到器件为脆弱的晶片内部，造成芯片内部的物理损伤，随着实验时间的集聚，终造成电性的不良，严重的情况下会显示出晶片的断裂或烧毁。